AOT20S60L和SPP20N65C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOT20S60L SPP20N65C3 STW23NM60ND

描述 AOT20S60L 管装650V,20.7A,N沟道功率MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 266 W 208 W 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20.7 A -

上升时间 32 ns 5 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 1038pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2050pF @50V(Vds)

下降时间 30 ns 4.5 ns 42 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 266W (Tc) - 150W (Tc)

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 20.7 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 190 mΩ -

输入电容 - 2.40 nF -

栅电荷 - 114 nC -

漏源击穿电压 - 650 V -

额定功率(Max) - 208 W 150 W

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

长度 - 10 mm 15.75 mm

宽度 - 4.4 mm 5.15 mm

高度 - 15.65 mm 20.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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