对比图
型号 BSC042NE7NS3GATMA1 FDMS86300
描述 INFINEON BSC042NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-TDSON-8 PowerTDFN-8
漏源极电阻 0.0037 Ω 0.0032 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 104 W
阈值电压 3.1 V 3.4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 19A 19A
上升时间 17 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @37.5V(Vds) 7082pF @40V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 9 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
额定功率 125 W -
针脚数 8 -
输入电容 3600 pF -
长度 5.35 mm 5 mm
宽度 5.35 mm 6 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm
封装 PG-TDSON-8 PowerTDFN-8
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
外壳颜色 Black -
触点材质 Phosphor Bronze -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15