对比图
型号 STS2DNF30L STS6DNF30L STS5DNF20V
描述 STMICROELECTRONICS STS2DNF30L 功率场效应管, MOSFET双N - 通道30V - 0.022ohm - 6A SO- 8的STripFET功率MOSFET DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022ohm - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS STS5DNF20V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOP SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - 20.0 V
额定电流 3.00 A - 5.00 A
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.09 Ω - 30 mΩ
极性 Dual N-Channel N-CH Dual N-Channel
耗散功率 1.6 W - 2 W
阈值电压 1.7 V - 2.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 30.0 V - 20.0 V
栅源击穿电压 ±18.0 V - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 6A 5.00 A
上升时间 20 ns 30 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 121pF @25V(Vds) 1250pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W - 2 W
下降时间 8 ns 18 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2 W
额定功率 - - 1.6 W
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.65 mm - 1.65 mm
封装 SOIC-8 SOP SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99