BC639,112和BC639RL1G

对比图

型号 BC639,112 BC639RL1G BC639

描述 SPT NPN 80V 1AON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE高电流晶体管 High Current Transistors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

极性 NPN NPN -

耗散功率 830 mW 800 mW -

增益频宽积 180 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 830 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 625 mW 1000 mW

频率 - 200 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 40 -

额定功率 - - 800 mW

长度 4.8 mm 5.2 mm -

宽度 4.2 mm 4.19 mm -

高度 5.2 mm 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -