对比图
型号 IRFR13N20DTRPBF STD20NF20 STD7NS20T4
描述 200V,13A,单N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD7NS20T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 13.0 A 18.0 A 7.00 A
漏源极电阻 0.235 Ω 0.125 Ω 0.35 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 90 W 45 W
产品系列 IRFR13N20D - -
输入电容 830pF @25V 940 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 18.0 A 7.00 A
上升时间 27.0 ns 30 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 830pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 90 W 45 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 3 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
下降时间 - 10 ns 12 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 45W (Tc)
额定功率 - 110 W -
栅电荷 - 28.0 nC -
正向电压(Max) - 1.6 V -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99