对比图
型号 IPD25N06S4L30ATMA1 IPD25N06S4L30ATMA2
描述 DPAK N-CH 60V 25A晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 23 mΩ 0.023 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 29 W 29 W
阈值电压 1.2 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 25A 25A
上升时间 1 ns 1 ns
输入电容(Ciss) 1220pF @25V(Vds) 1220pF @25V(Vds)
下降时间 2 ns 2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 29W (Tc) 29W (Tc)
通道数 1 -
漏源击穿电压 60 V -
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.5 mm -
宽度 6.22 mm -
高度 2.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅