FDN5630和MMBF170LT1G

对比图

型号 FDN5630 MMBF170LT1G IRLML0060TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN5630  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.4 VON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRLML0060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 1.70 A 500 mA -

额定功率 - 0.225 W 1.25 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.073 Ω 5 Ω 0.078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 225 mW 1.25 W

阈值电压 2.4 V 3 V 2.5 V

输入电容 21.0 pF 60 pF 290 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 -60.0 V 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 500 mA 2.7A

输入电容(Ciss) 400pF @15V(Vds) 60pF @10V(Vds) 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 225 mW 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.5 W 225mW (Ta) 1.25W (Ta)

通道数 1 - -

栅电荷 7.00 nC - -

上升时间 6 ns - 6.3 ns

下降时间 5 ns - 4.2 ns

长度 2.92 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -