对比图
型号 IRG4BC10SD-SPBF STGB7NC60HDT4 STGBL6NC60DT4
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTGB7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 PowerMesh IGBT - D2PAKN沟道600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP超快速IGBT N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 38 W 25 W 56000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 28 ns 37 ns 50 ns
额定功率(Max) 38 W 80 W 56 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38000 mW 80000 mW 56000 mW
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 14.0 A 14.0 A -
极性 N-Channel N-Channel -
上升时间 36.0 ns 8.50 ns -
产品系列 IRG4BC10SD-S - -
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - -
高度 4.703 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99