PBHV8140Z和PBHV8140Z,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBHV8140Z PBHV8140Z,115 FZT658

描述 NXP  PBHV8140Z  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFENXP  PBHV8140Z,115  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFEDIODES INC.  FZT658  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 2 W, 500 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 730 mW 730 mW 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1A 1A 0.5A

直流电流增益(hFE) 155 155 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 - 25 MHz -

针脚数 4 4 -

最小电流放大倍数(hFE) 100 35 @500mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 155 -

额定功率(Max) - 1.45 W -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.45 mW 1450 mW -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.8 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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