2N7002K-7和VP2206N2

对比图

型号 2N7002K-7 VP2206N2 2N7002K-E3

描述 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3TO-39P-CH 60V 0.75ASOT-23 N-CH 60V 0.3A

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Microchip (微芯) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-39 SOT-23

额定功率 - 0.36 W -

极性 N-Channel P-CH N-CH

耗散功率 350 mW 6 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 0.75A 0.3A

上升时间 3.4 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds) 30pF @25V(Vds)

下降时间 9.9 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370mW (Ta) 360mW (Tc) 350 mW

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 2 Ω - -

阈值电压 1.6 V - -

额定功率(Max) 370 mW - -

封装 SOT-23-3 TO-39 SOT-23

宽度 1.3 mm - -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown -

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -