对比图
型号 MMBT5551 MMBTA06 MMBT5551LT1G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA06 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 300 MHz 100 MHz -
额定电压(DC) 160 V 80.0 V 160 V
额定电流 600 mA 500 mA 600 mA
额定功率 - 350 mW 0.225 W
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 350 mW 350 mW 225 mW
集电极击穿电压 - 80.0 V -
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 80 V 160 V
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 100 @100mA, 1V 80 @10mA, 5V
额定功率(Max) 350 mW 350 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 250 100 80
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 0.35 W 300 mW
集电极最大允许电流 - - 0.6A
最大电流放大倍数(hFE) - - 250
长度 2.92 mm 2.92 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.93 mm 0.93 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 8541210075 - -