FDP032N08和STP210N75F6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP032N08 STP210N75F6 IRF2907ZPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP032N08  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 VSTMICROELECTRONICS  STP210N75F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0025 Ω 0.003 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 300 W 300 W

阈值电压 3.5 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 235A 120A 75.0 A

上升时间 - 70 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 15160pF @25V(Vds) 11800pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 300 W 300 W

下降时间 - 71 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 375W (Tc) 300W (Tc) -

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 75.0 A

产品系列 - - IRF2907Z

长度 10.1 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 15.38 mm 15.75 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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