对比图
型号 STI24NM60N STP24NM60N STP24N60M2
描述 STMICROELECTRONICS STI24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.168 Ω 0.168 Ω 0.19 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 125 W 125 W 150 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 1400pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1060pF @100V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
连续漏极电流(Ids) - 17A 18A
上升时间 - 16.5 ns 9 ns
额定功率(Max) - 125 W 150 W
下降时间 - 37 ns 15 ns
输入电容 - - 1060 pF
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 10.75 mm 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99