FQP6N70和SSP6N70A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP6N70 SSP6N70A STD3NK50Z-1

描述 700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFET先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD3NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-251-3

额定电压(DC) 700 V - -

额定电流 6.20 A - -

漏源极电阻 1.50 Ω - 2.8 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 142 W - 45 W

漏源极电压(Vds) 700 V 700 V 500 V

漏源击穿电压 700 V - 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 6.20 A 6A 1.15 A

上升时间 70 ns - 13 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) - 280pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 142 W - -

下降时间 50 ns - 14 ns

耗散功率(Max) 142W (Tc) - 45W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3.75 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220 TO-251-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 2.4 mm

高度 - - 6.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Unknown

包装方式 Rail, Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台