对比图
型号 STB12NM50-1 STB12NM50N STB12NM50FD
描述 N沟道500V - 0.3W - 12A TO- 220 / TO- 220FP / I PAK的MDmesh ]功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 VN沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 I2PAK TO-263-3 D2PAK
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 11.0 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 380 mΩ -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 - 100 W -
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) 12A 6.70 A, 11.0 A 12A
上升时间 - 15 ns -
输入电容(Ciss) - 940pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) - 100 W -
下降时间 - 14 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
工作结温(Max) - 150 ℃ -
耗散功率(Max) - 100W (Tc) -
封装 I2PAK TO-263-3 D2PAK
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -