DS1225Y-150和DS1225Y-150+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225Y-150 DS1225Y-150+ DS1225AD-150+

描述 NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225Y-150+  芯片, 存储器, NVRAM, CMOS 64K, 1225, DIP28 新MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-150+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - 28 28

存取时间 150 ns 150 ns 150 ns

内存容量 8000 B 8000 B 8000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

负载电容 10.0 pF - -

时钟频率 - - 150 GHz

封装 DIP DIP-28 EDIP-28

长度 - - 39.12 mm

宽度 - - 18.29 mm

高度 - - 9.4 mm

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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