对比图
型号 STD11NM50N STD18N55M5 SPD08N50C3
描述 STMICROELECTRONICS STD11NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.4 Ω 0.18 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 90 W 83 W
阈值电压 3 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 560 V
上升时间 10 ns 9.5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 547pF @50V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 90 W 83 W
下降时间 10 ns 13 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 110W (Tc) 83W (Tc)
额定电压(DC) - - 560 V
额定电流 - - 7.60 A
连续漏极电流(Ids) - 16A 7.6A
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 550 V -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -