对比图
型号 FCP11N60F STP20NM60FD SIHP12N60E-GE3
描述 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP20NM60FD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
电源电压(DC) 30.0V (max) - -
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 11.0 A 20.0 A -
输出接口数 1 - -
漏源极电阻 0.38 Ω 290 mΩ 0.32 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 192 W 147 W
静态电流 100 µA - -
阈值电压 5 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 20.0 A 12A
上升时间 98 ns 12 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1490pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 937pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 192 W 147 W
下降时间 56 ns 22 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 192W (Tc) 147 W
额定功率 - 45 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
输入电容 - 1.30 nF -
栅电荷 - 37.0 nC -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.51 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.65 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -