对比图
描述 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 UFBGA-4 DSBGA-4
针脚数 4 -
漏源极电阻 0.066 Ω -
极性 P-Channel P-CH
耗散功率 1 W 1 W
阈值电压 600 mV -
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 1.10 A 2.2A
上升时间 19 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 325pF @6V(Vds) 512pF @6V(Vds)
额定功率(Max) 1 W -
下降时间 29 ns 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)
封装 UFBGA-4 DSBGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 停产 正在供货
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -