SI2302CDS-T1-GE3和SI2302DDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2302CDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 IRLML6244TRPBF

描述 VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mVVISHAY  SI2302DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 VINFINEON  IRLML6244TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.045 Ω 0.045 Ω 21 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 710 mW 710 mW 1.3 W

阈值电压 850 mV - 900 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.90 A - 6.3A

上升时间 7 ns 7 ns 7.5 ns

下降时间 7 ns 7 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - - 1.3 W

输入电容(Ciss) - - 700pF @16V(Vds)

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 710 mW 1.3W (Ta)

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - 1.02 mm 1.02 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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