对比图
型号 FDS6299S FDS7066N3 FDS6699S
描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ 30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6699S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 21.0 A 23.0 A 21.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 3.90 mΩ 4.40 mΩ 3.6 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 3W (Ta) 2.5 mW
阈值电压 - - 1.4 V
输入电容 3.88 nF 4.97 nF 3.61 nF
栅电荷 58.0 nC 43.0 nC 65.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 23.0 A 21.0 A
上升时间 12 ns 8.00 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 3880pF @15V(Vds) 4973pF @15V(Vds) 3610pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 1.7 W 1 W
下降时间 35 ns - 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta)
长度 4.9 mm - 5 mm
宽度 3.9 mm - 4 mm
高度 1.75 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99