NSBA143ZDXV6T1G和NSBC123JPDXV6T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBA143ZDXV6T1G NSBC123JPDXV6T1G PEMB13,115

描述 双极晶体管 - 预偏置 SOT-563 DUAL 4.7/47 K OHNSBC123JPDXV6T1G NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA HEF=80~140 R1=2.2KΩ R2=47KΩ 500mW/0.5W SOT-563 标记3S6 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路NXP  PEMB13,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 300 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-563-6 SOT-563-6 SOT-666-6

针脚数 - - 6

极性 PNP NPN+PNP PNP

耗散功率 0.5 W 0.5 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 300 mW

额定电压(DC) -50.0 V 50.0 V -

额定电流 -100 mA 100 mA -

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -

高度 0.55 mm 0.55 mm 0.6 mm

封装 SOT-563-6 SOT-563-6 SOT-666-6

长度 1.6 mm 1.6 mm -

宽度 1.2 mm 1.2 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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