IPB096N03LG和IPD090N03LGATMA1

对比图

型号 IPB096N03LG IPD090N03LGATMA1 H7N0310LMTL-E

描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorINFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-263 TO-252-3 -

额定功率 - 42 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0075 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 42000 mW 42 W -

阈值电压 - 2.2 V -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

连续漏极电流(Ids) - 40A -

输入电容(Ciss) - 1600pF @15V(Vds) -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 42W (Tc) -

上升时间 3.2 ns - -

下降时间 2.6 ns - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

宽度 - 6.22 mm -

封装 TO-263 TO-252-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -