对比图
型号 JAN2N6770 TN2510N8-G STD20NF06LT4
描述 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STD20NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 SOT-89-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 24.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1 Ω 0.032 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 4 W 1.6 W 60 W
阈值电压 - 2 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±18.0 V
连续漏极电流(Ids) 12A 0.73A 24.0 A
上升时间 - 10 ns 50 ns
输入电容(Ciss) - 125pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.6 W 60 W
下降时间 - 10 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 4W (Ta), 150W (Tc) 1.6W (Ta) 60W (Tc)
额定功率 - 1.6 W -
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
封装 TO-3 SOT-89-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99