BSP318S和ZXMN6A11G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP318S ZXMN6A11G BUK98150-55A

描述 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFETDIODES INC.  ZXMN6A11G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 VNXP  BUK98150-55A  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 55 V, 137 mohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.07 Ω 0.14 Ω 137 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.8 W 3.9 W 8 W

阈值电压 1.6 V 1 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) - 240pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.8 W - 8 W

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 3.80 A -

长度 6.5 mm - 6.7 mm

宽度 3.5 mm - 3.7 mm

高度 1.6 mm - 1.7 mm

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

军工级 - Yes -

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