FDD6030BL和FDD8878

对比图

型号 FDD6030BL FDD8878 STD35N3LH5

描述 N沟道MOSFET PowerTrenchTM N-Channel PowerTrenchTM MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V30V,14mΩ,35A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.8 W 40 W 35 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 40.0 A 35A

上升时间 10 ns 79 ns 4 ns

输入电容(Ciss) - 880pF @15V(Vds) 725pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 40 W 35 W

下降时间 5 ns 27 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 40W (Tc) 35W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 7.7 mΩ 0.011 Ω -

漏源击穿电压 30 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 40.0 A -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 1.2 V -

输入电容 - 880 pF -

栅电荷 - 19.0 nC -

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -