IPA60R600C6和IPP60R600C6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA60R600C6 IPP60R600C6 SPB07N60S5

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  IPP60R600C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.54 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 28 W 63 W -

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A 7.30 A

上升时间 9 nS 9 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 970pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 63 W 83 W

下降时间 13 ns 13 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 63 W 63W (Tc) -

通道数 1 - -

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 7.30 A

输入电容 - - 970 pF

栅电荷 - - 35.0 nC

长度 10.65 mm 10.36 mm 10 mm

宽度 4.85 mm 4.57 mm 9.25 mm

高度 16.15 mm 15.95 mm 4.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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