STP6NK60ZFP和STP9NK50ZFP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP6NK60ZFP STP9NK50ZFP 2SK3562

描述 STMICROELECTRONICS  STP6NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTO-220SIS N-CH 600V 6A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 0.72 Ω 0.9 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 30 W 40 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.20 A 6.00 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 600 V 500 V -

上升时间 14 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 905pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 30 W 30 W -

下降时间 19 ns 22 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 30000 mW 30000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.3 mm 9.3 mm -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台