PMV56XN,215和ZXMN2B01F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMV56XN,215 ZXMN2B01F MGSF2N02ELT1G

描述 NXP  PMV56XN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mVDIODES INC.  ZXMN2B01F  晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 1 VON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.056 Ω 0.1 Ω 0.078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.92 W 806 mW 1.25 W

阈值电压 650 mV 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.76 A 2.40 A 2.80 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 2.80 A

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

上升时间 - - 95 ns

输入电容(Ciss) 230pF @10V(Vds) - 150pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 1.92 W - 1.25 W

下降时间 - - 125 ns

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.92W (Tc) - 1.25W (Ta)

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 3 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 1 mm - 1.01 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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