对比图
型号 IRFP250NPBF MTW32N20EG MTW32N20E
描述 INFINEON IRFP250NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247200V,32A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 200 V 200 V
额定电流 - 32.0 A 32.0 A
漏源极电阻 0.075 Ω 0.075 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 214 W 180 W 180 W
输入电容 2159 pF - 3600pF @25V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 30A 32.0 A 32.0 A
上升时间 43 ns 120 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 2159pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 91 ns 91 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 214W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc)
额定功率 214 W - -
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V 4 V -
热阻 0.7℃/W (RθJC) - -
额定功率(Max) 214 W 180 W -
长度 15.9 mm - 16.26 mm
宽度 5.3 mm 5.3 mm 5.3 mm
高度 20.3 mm - 21.08 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99