对比图
型号 IPD50N06S4L08ATMA1 IPD50N06S4L08ATMA2
描述 DPAK N-CH 60V 50AN沟道 60V 50A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 -
漏源极电阻 6.3 mΩ -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 71 W 71W (Tc)
阈值电压 1.2 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V -
连续漏极电流(Ids) 50A 50A
上升时间 2 ns 2 ns
输入电容(Ciss) 4780pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -
耗散功率(Max) 71W (Tc) 71W (Tc)
长度 6.5 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅