MMBT5550LT1G和MMBT5550LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5550LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT5550LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 225 mW, 600 mA, 250 hFEMMBT5550L: 高电压 NPN 双极晶体管高电压晶体管 High Voltage Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 140 V 140 V 140 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 140 V 140 V

最小电流放大倍数(hFE) 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 250 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

针脚数 3 - -

集电极最大允许电流 0.6A - 0.06A

长度 3.04 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 1.01 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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