BQ4016MC-70和DS1265Y-70+

对比图

型号 BQ4016MC-70 DS1265Y-70+ DS1265AB-70+

描述 1024Kx8非易失SRAM 1024Kx8 Nonvolatile SRAMNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70 ns 70.0 ns

内存容量 8000000 B 8000000 B 1000000 B

存取时间(Max) 70 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

长度 - 53.34 mm -

宽度 - 18.8 mm -

高度 - 10.29 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead