IXGH30N60BU1和STGW30NC60KD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH30N60BU1 STGW30NC60KD STGW20NC60VD

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247ADSTGW30NC60KD 系列 600 V 28 A 短路 耐用型 IGBT 法兰安装 - TO-247-3STMICROELECTRONICS  STGW20NC60VD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 30.0 A

额定功率 - - 200 W

针脚数 - 3 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 200 W 200 W

上升时间 - - 11.5 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 40 ns 44 ns

额定功率(Max) 200 W 200 W 200 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 W 200 W 200000 mW

长度 - 15.75 mm 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 - 24.45 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台