FDS6912A和NTMD6N03R2G

对比图

型号 FDS6912A NTMD6N03R2G PHN203,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VON SEMICONDUCTOR  NTMD6N03R2G.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOICMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 1.6 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 5 ns 22.0 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) 950pF @24V(Vds) 560pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 1.29 W 2 W

下降时间 5 ns - 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6 W 2000 mW 2000 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 6 A 6.00 A -

通道数 - 2 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.019 Ω 0.024 Ω -

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel -

阈值电压 1.9 V 1.8 V -

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A -

额定功率 1.6 W - -

输入电容 575 pF - -

栅电荷 5.80 nC - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -