对比图
型号 IRF1404ZSPBF STB200NF04T4 STB120N4F6
描述 Trans MOSFET N-CH 40V 190A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 3.7 mΩ 3.70 mΩ 4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 220 W 310000 mW 110 W
产品系列 IRF1404ZS - -
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 190 A 120 A 80A
输入电容(Ciss) 4340pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 310 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 40.0 V -
额定电流 - 120 A -
漏源击穿电压 - 40.0 V 40 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 320 ns 70 ns
下降时间 - 120 ns 20 ns
耗散功率(Max) - 310000 mW 110 W
通道数 - - 1
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99