对比图
型号 BSS123E6327 BSS123LT1G 2SK3019TL
描述 MOSFET N-CH 100V 170mA SOT-23N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 100 V 100 V 30.0 V
额定电流 170 mA 170 mA 100 mA
耗散功率 360mW (Ta) 225 mW 150 mW
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 170 mA 170 mA 100 mA
上升时间 5.00 ns - 35 ns
输入电容(Ciss) 69pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds) 13pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 360 mW 225 mW 150 mW
耗散功率(Max) 360mW (Ta) 225mW (Ta) 150mW (Ta)
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 6 Ω 13 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 800 mV 1.5 V
漏源击穿电压 - 100 V 30 V
下降时间 - - 80 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
额定功率 - 0.225 W -
无卤素状态 - Halogen Free -
输入电容 - 20pF @25V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
正向电压(Max) - 1.3 V -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm 1.6 mm
宽度 - 1.3 mm 0.8 mm
高度 - 0.94 mm 0.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99