对比图
型号 IRFB4410ZGPBF STP120NF10 STP80NF10
描述 Single N-Channel 100V 230W 120NC Through Hole Hexfet Power MOSFET - TO-220ABSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 312 W 300 W
产品系列 IRFB4410ZG - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 97.0 A 110 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 4820pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 312 W 300 W
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 120 A 80.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.009 Ω 0.012 Ω
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
上升时间 - 90 ns 80 ns
下降时间 - 68 ns 60 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 312000 mW 300W (Tc)
额定功率 - - 300 W
输入电容 - - 5500 pF
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99