对比图
型号 BTS118D VND1NV04TR-E VND5N0713TR
描述 INFINEON BTS118D 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsOMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器开关电源
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
输出接口数 1 1 1
输入电压(DC) 10.0 V - -
针脚数 3 - -
耗散功率 21 W 35 W 60 W
输出电流(Max) 2.4 A 1.7 A 3.5 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
电源电压 2.2V ~ 10V - -
输入电压 10 V - -
额定功率 - 35 W -
输出电流 - 1.7 A -
供电电流 - 0.1 mA -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.2 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 2.5 V 800 mV
漏源极电压(Vds) - 55 V 70 V
漏源击穿电压 - 40.0 V 70.0 V
连续漏极电流(Ids) - 500 mA 5.00 A
上升时间 - 500 ns -
输出电流(Min) - 1.7 A -
输入数 - 1 -
下降时间 - 600 ns -
耗散功率(Max) - 35000 mW -
额定电压(DC) - - 70.0 V
额定电流 - - 5.00 A
长度 6.5 mm 6.6 mm -
宽度 6.22 mm 6.2 mm -
高度 2.3 mm 2.4 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99