对比图
型号 IRFZ44ZPBF STP80NF55-08 HUF75339P3
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 11.1 Milliohms; ID 51A; TO-220AB; PD 80W; -55degSTMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75339P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 51.0 A 80.0 A 75.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 13.9 mΩ 0.008 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 300 W 200 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 1420pF @25V - 2.00 nF
栅电荷 - - 60.0 nC
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55.0 V 55.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 51.0 A 80.0 A 75.0 A
上升时间 68.0 ns 110 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 300 W 200 W
下降时间 - 35 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 W 200W (Tc)
通道数 1 - -
产品系列 IRFZ44Z - -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 4.6 mm 4.83 mm
高度 9.65 mm 15.75 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99