IRF3205ZPBF和STP95N4F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3205ZPBF STP95N4F3 STP140NF55

描述 55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP95N4F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 VMOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V

额定电流 110 A - 80.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 6.5 mΩ 0.0054 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 170 W 110 W 300 W

阈值电压 - 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 40 V 55 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80A 80.0 A

上升时间 95.0 ns 50 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 110 W 300 W

下降时间 - 15 ns 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 300W (Tc)

产品系列 IRF3205Z - -

输入电容 3450pF @25V - -

栅电荷 110 nC - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 9.02 mm 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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