对比图
型号 FQPF12N60C FQPF12N60T STP10NK60ZFP
描述 N沟道,600V,12A,650mΩ@10V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 12.0 A 10.5 A 10.0 A
额定功率 51 W - 35 W
通道数 1 - 1
漏源极电阻 650 mΩ 700 mΩ 0.65 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 51 W 55 W 35 W
输入电容 1.90 nF 1.90 nF 1370 pF
栅电荷 54.0 nC 54.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.80 A 10.0 A
上升时间 85 ns 115 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 2290pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 51 W 55 W 35 W
下降时间 90 ns 85 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 51W (Tc) 55W (Tc) 35W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3.75 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 15.87 mm 16.3 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -