对比图
型号 MJD44H11-001 MJD44H11-1G KSH44H11ITU
描述 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsNPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 20 W 20 W
增益频宽积 - 85 MHz 50 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 8A 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 60 40 @4A, 1V
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1750 mW 1750 mW
频率 - 85 MHz -
无卤素状态 - Halogen Free -
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 60 -
长度 - 6.73 mm 6.6 mm
宽度 - 2.38 mm 2.3 mm
高度 - 6.35 mm 6.1 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99