DS1250Y-100IND+和DS1250Y-100+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250Y-100IND+ DS1250Y-100+ DS1250AB-100+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-100+  芯片, 存储器, NVRAMIc Nvsram 4Mbit 100ns 32dip - Ds1250ab-100+

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

引脚数 32 32 -

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.75 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

针脚数 - 32 -

时钟频率 100 GHz 100 GHz -

内存容量 4000000 B 500000 B -

长度 - 43.69 mm 43.69 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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