DS1270W-150#和DS1270W-100IND#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270W-150# DS1270W-100IND# DS1270Y-70#

描述 Ic Nvsram 16Mbit 150ns 36dip - Ds1270w-150Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

引脚数 - - 36

存取时间 - 100 ns 70 ns

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 3.6 V 5.25 V

电源电压(Min) - 3 V 4.75 V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 5 V

时钟频率 - - 70.0 GHz

内存容量 - - 16000000 B

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 无铅 PB free

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