IPD075N03LGATMA1和IPD075N03LGBTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGBTMA1 IPD060N03L G

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD075N03LGATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装DPAK N-CH 30V 50AINFINEON  IPD060N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 2.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3-11 TO-252-3

额定功率 47 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0063 Ω - 0.005 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 47 W 47W (Tc) 56 W

阈值电压 2.2 V - 2.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A -

上升时间 3.6 ns 3.6 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @15V(Vds) 1900pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 47 W - 56 W

下降时间 2.8 ns 2.8 ns 3 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 47W (Tc) 47W (Tc) 56 W

长度 6.73 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.41 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3-11 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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