对比图
型号 FCB11N60 FCB11N60FTM FCB11N60TM
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 11.0 A 11.0 A
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 125 W
输入电容 - 1.49 nF -
栅电荷 - 52.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11A 11.0 A 11.0 A
上升时间 - 98 ns 98 ns
输入电容(Ciss) - 1490pF @25V(Vds) 1490pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 125 W
下降时间 - 56 ns 56 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 125W (Tc)
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 320 mΩ - 0.32 Ω
阈值电压 5 V - 5 V
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99