对比图
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON IRF630NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 9.50 A - 7.00 A
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 75000 mW 82 W 40W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.50 A 9.3A 7.00 A
上升时间 40 ns 14 ns 40.0 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 75W (Tc) 82W (Tc) 40W (Tc)
输入电容 530 pF 575 pF -
额定功率(Max) 75 W 82 W -
下降时间 30 ns 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率 - 82 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.3 Ω -
阈值电压 - 4 V -
漏源击穿电压 - 200 V -
热阻 - 1.83℃/W (RθJC) -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 15.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -