对比图
型号 STB5N62K3 STU5N52K3 STD5N62K3
描述 N沟道620 V， 1.28欧姆， 4.2 SuperMESH3功率MOSFET N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET525V,1.2Ω,4.4A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS STD5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-252-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 1.28 Ω 1.5 Ω 1.28 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 70 W
阈值电压 3.75 V - 3.75 V
漏源极电压(Vds) 620 V 525 V 620 V
上升时间 8 ns 11 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 680pF @50V(Vds) 545pF @100V(Vds) 680pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 70 W 70 W
下降时间 21 ns 16 ns 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 620 V 525 V -
连续漏极电流(Ids) 4.2A 4.4A -
输入电容 - 545 pF -
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -