FJV1845和FJV1845FMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV1845 FJV1845FMTF FJV1845EMTF

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJV1845FMTF  单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 120 V 120 V

额定电流 - 50.0 mA 50.0 mA

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 300 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V 120 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @1mA, 6V 400 @1mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) - 1200 1200

额定功率(Max) - 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 300 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.93 mm 1.04 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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